揚(yáng)州欣達(dá)電子有限公司

   金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積法(MOCVD)制備薄膜沉積溫度較低，沉積速率高，制備的薄膜均勻，并能生長(zhǎng)多元復(fù)合薄膜，與半導(dǎo)體工藝兼容，因此廣泛地用于制備半導(dǎo)體、鐵電、超導(dǎo)等薄膜材料。但由于MOCVD法所用的金屬有機(jī)物源(MO源)為高蒸氣壓的液體或氣體，制備和提純困難；目前制備的種類(lèi)有限，且易水解，使用和運(yùn)輸不便，在一定程度上限制了MOCVD的發(fā)展。為了克服MOCVD法的不足，人們發(fā)展出了一種新的化學(xué)制備薄膜的方法—噴霧熱解(Spray Pyrolysis, SP)法。噴霧熱解法在一定程度上結(jié)合了液相法和氣相法制備薄膜技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)，顯示較廣泛的應(yīng)用前景。
   噴霧熱解法采用類(lèi)似于金屬有機(jī)物熱解法(MOD)或溶膠一凝膠法（Sol-gel)中的有機(jī)溶液或水溶液為氣體，將氣體溶液霧化為液滴，用類(lèi)似于CVD的方法將液滴用載氣送入反應(yīng)室，在加熱墓片上反應(yīng)沉積薄膜.根據(jù)霧化方式的不同，噴霧熱解法制備薄膜技術(shù)可分為壓力霧化沉積、超聲霧化沉積和靜電霧化沉積，雖然在霧化方式上有所不同，但各系統(tǒng)均包括液態(tài)氣體的輸運(yùn)、氣體的霧化、霧化液滴的輸運(yùn)、基片加熱以及薄膜沉積等幾部分。
   自從1966年Chamberlin和Skarman用SP法制得太陽(yáng)能電池用US薄膜以來(lái)，SP法已廣泛用于制備單氧化物、尖晶石型氧化物、鈣欽礦型氧化物以及硫化物、硒化物等。SP法還用于制備多化學(xué)組分的陶瓷粉體。
   SP法制備薄膜技術(shù)主要有如下優(yōu)點(diǎn):
   (1)工藝設(shè)備簡(jiǎn)單，不需要高真空設(shè)備，在常壓下即可進(jìn)行;
   (2)能大面積沉積薄膜，并可在立體表面沉積.沉積速率高，易實(shí)現(xiàn)工業(yè)生產(chǎn)，
   (3)可選擇的前馭物較多，容易控制薄膜的化學(xué)計(jì)量比;摻雜容易并可改變前驅(qū)物溶液中組分的濃度制備多層膜或組分梯度膜等。
   (4)通過(guò)調(diào)節(jié)霧化參數(shù)可控制薄膜的厚度，克服溶膠一凝膠法難于制備厚膜的不足;
   (5)沉積溫度大多在600℃以下.相對(duì)較低。
   不過(guò)無(wú)論采用何種方式霧化，SP法制備薄膜均是由霧滴或細(xì)粉體顆粒沉積生長(zhǎng)而成，所制備薄膜的表面不如MOCVD制備的薄膜光滑平整，薄膜中的氣孔率也較高。而且，霧化液滴的大小及分布，溶液性質(zhì)以及基片溫度等工藝條件對(duì)SP法制備薄膜的表面形貌影響很大。因此噴霧熱解法不容易制備光滑、致密的薄膜.在沉積過(guò)程中，薄膜中易帶人外來(lái)雜質(zhì)，而且主要限于制備氧化物、硫化物等材料。